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华虹半导体（无锡）申请半导体器件的制造方法专利，简化工艺降低成本

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2025-12-09 15:39:09

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国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“半导体器件的制造方法”的专利，公开号CN121099613A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件的制造方法，该方法包括：在形成栅极结构时，于多晶硅层上预先沉积缓冲层和硬掩膜层；对该叠层进行图形化刻蚀形成控制栅和外围栅后，利用栅极结构上残留的硬掩膜层作为注入阻挡层，进行轻掺杂漏极离子注入；最后去除所述硬掩膜层。本发明无需增加额外的光刻掩膜，即可在减薄控制栅以改善层间介质填充的同时，通过硬掩膜层保护外围栅极，确保其轻掺杂漏极注入条件不受影响，从而维持其电学性能。该方法简化了工艺，降低了成本，并解决了单元区与外围区的工艺冲突。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2944次，专利信息1899条，此外企业还拥有行政许可117个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造方法显示栅极投资半导体无锡工艺专利华虹器件膜层

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