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中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，有利于获得较佳的半导体工艺制程

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2025-12-09 14:08:26

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121076047A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底；在基底上形成多个第一金属层，多个第一金属层沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列，第一方向与第二方向相垂直；在基底上形成覆盖第一金属层侧壁的牺牲层，牺牲层露出第一金属层顶面；形成覆盖第一金属层和牺牲层的覆盖层；在覆盖层中形成沿第二方向延伸横跨第一金属层的开口，开口露出第一金属层和牺牲层顶面；沿开口，去除以开口为基准沿第一方向向两侧延展的部分或全部区域中的牺牲层，形成位于相邻第一金属层之间、以及第一金属层侧部的空气隙。本发明有利于获得较佳的半导体工艺制程。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造方法显示投资中芯国际金属层导体结构专利牺牲层覆盖层半导体中芯

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