国家知识产权局信息显示,华南理工大学、中国电力科学研究院有限公司取得一项名为“一种芯片多层薄膜的制作装置及方法”的专利,授权公告号CN119932540B,申请日期为2025年2月。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
来源:市场资讯
上一篇:小鹏汽车取得图像帧处理芯片和车辆专利
下一篇:英伟达回应H200芯片可向中国出售,称“值得肯定”