斯伦贝谢申请三维电阻率储层测绘专利，可识别高电阻率与低电阻率体积之间的界面
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2025-12-08 21:38:45
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国家知识产权局信息显示，斯伦贝谢技术有限公司申请一项名为“三维电阻率储层测绘”的专利，公开号CN121079616A，申请日期为2024年4月。
专利摘要显示，一种用于三维(3D)储层测绘的方法包括获得点集格式的3D电阻率体积，并将点集格式的所述3D电阻率体积变换为地质勘探学会(SEG-Y)格式的3D电阻率图。一种用于识别高电阻率体积和低电阻率体积之间的界面的方法还可以包括将第一电阻率阈值应用于所述SEG-Y格式的所述3D电阻率图，以生成二值电阻率体积，其中所述3D电阻率图中电阻率值大于所述第一电阻率阈值的单元格被指派第一高电阻率值，以及电阻率值小于所述第一电阻率阈值的单元格被指派第二低电阻率值；并评估所述二值电阻率体积以识别所述高电阻率体积和所述低电阻率体积之间的所述界面。
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来源：市场资讯
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