卓胜微申请场效应晶体管及其制备方法专利，大幅度降低场效应晶体管栅极电阻_资讯

卓胜微申请场效应晶体管及其制备方法专利，大幅度降低场效应晶体管栅极电阻

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2025-12-08 19:08:10

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国家知识产权局信息显示，江苏卓胜微电子股份有限公司申请一项名为“场效应晶体管及其制备方法”的专利，公开号CN121078779A，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，本申请公开了一种场效应晶体管及其制备方法。场效应晶体管包括：基底、阻挡层、金属硅化物栅极和有源区，基底的第一表面上设置有栅氧层，阻挡层位于栅氧层背离基底的一侧，金属硅化物栅极位于阻挡层背离栅氧层的一侧，有源区位于金属硅化物栅极两侧且位于基底中，通过设置金属硅化物栅极将大幅度降低场效应晶体管栅极电阻，还能提供充足的自由电子有效解决多晶硅耗尽效应，同时通过在栅氧层和金属硅化物栅极之间形成阻挡层抑制金属硅化物栅极的金属硅化物往栅氧层扩散。

天眼查资料显示，江苏卓胜微电子股份有限公司，成立于2012年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本53485.8936万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏卓胜微电子股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目67次，财产线索方面有商标信息27条，专利信息289条，此外企业还拥有行政许可40个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示栅极投资微电子阻挡层卓胜微晶体管专利有源区栅氧层硅化物金属

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