甬矽半导体取得蚀刻装置和蚀刻设备专利，有效防止晶圆边缘过度蚀刻_资讯

甬矽半导体取得蚀刻装置和蚀刻设备专利，有效防止晶圆边缘过度蚀刻

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2025-12-08 18:10:09

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国家知识产权局信息显示，甬矽半导体（宁波）有限公司取得一项名为“蚀刻装置和蚀刻设备”的专利，授权公告号CN223638323U，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本实用新型的实施例提供了一种蚀刻装置和蚀刻设备，涉及蚀刻技术领域。该蚀刻装置包括底座、晶圆放置台和阻挡环，底座上设置有承载容纳槽，晶圆放置台容置在承载容纳槽中，并与底座共同形成用于承载晶圆的承载台面，阻挡环设置在底座上，并通过顶杆连接至底座，顶杆与晶圆放置台间隔设置，顶杆用于顶升阻挡环至第一工作位置，以使阻挡环与晶圆放置台之间形成供晶圆装入的间隙，顶杆还用于降低阻挡环至第二工作位置，以使阻挡环压合并遮挡在晶圆的边缘位置。相较于现有技术，本实用新型由于阻挡环的遮挡和保护作用，能够有效防止晶圆边缘的过度蚀刻，进而保证蚀刻效果。

天眼查资料显示，甬矽半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本400000万人民币。通过天眼查大数据分析，甬矽半导体（宁波）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目35次，专利信息234条，此外企业还拥有行政许可19个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示投资半导体装置设备底座宁波边缘专利顶杆晶圆

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