NEO半导体申请3D存储器单元和阵列架构专利
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2025-12-08 16:06:20
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国家知识产权局信息显示，NEO半导体公司申请一项名为“3D存储器单元和阵列架构”的专利，公开号CN121079776A，申请日期为2024年4月。专利摘要显示，公开了各种3D存储器单元、阵列架构和工艺。在一个实施例中，提供了一种单元结构，包括：第一材料，其形成位线；第二材料，其形成耦合到位线的第一部分的存储区；以及第三材料，其形成连接到存储区和位线的第二部分和第三部分的沟道。单元结构还包括：第四材料，其形成连接到沟道的源极线；第五材料，其形成耦合到沟道的第一部分和源极线的第一部分的前栅极；以及第六材料，其形成耦合到沟道的第二部分和源极线的第二部分的背栅极。
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