赛意法微电子申请半导体装置及制备方法以及电气系统专利，实现金属膜片与半导体衬底的接合并电连接_资讯

赛意法微电子申请半导体装置及制备方法以及电气系统专利，实现金属膜片与半导体衬底的接合并电连接

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2025-12-08 12:08:07

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国家知识产权局信息显示，深圳赛意法微电子有限公司、意法半导体国际公司申请一项名为“半导体装置及制备方法以及电气系统”的专利，公开号CN121076016A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本公开涉及半导体装置、制备方法以及电气系统。公开了一种半导体装置，包括：半导体衬底，包括至少一个功率半导体器件；在半导体衬底上的绝缘膜片，具有穿通绝缘膜片的至少一个第一开口，至少一个第一开口使得半导体衬底的相应的第一部分露出；导电的至少一个附接部件，填充在至少一个第一开口中的相应第一开口中；以及金属膜片，设置在绝缘膜片和至少一个附接部件上，其中，至少一个附接部件将金属膜片的相应部分与半导体衬底的相应第一部分接合并电连接。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

显示金属膜市场投资绝缘装置导体微电子专利赛意法半导体衬底膜片绝缘膜片

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