上海集成电路创新中心申请沟槽电容结构的制造方法专利，改善制造沟槽电容结构过程中的凝结状缺陷以提高良率_资讯

上海集成电路创新中心申请沟槽电容结构的制造方法专利，改善制造沟槽电容结构过程中的凝结状缺陷以提高良率

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2025-12-08 12:08:27

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国家知识产权局信息显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请一项名为“沟槽电容结构的制造方法”的专利，公开号CN121078965A，申请日期为2024年6月。专利摘要显示，本发明提供了一种沟槽电容结构的制造方法，包括：提供衬底，其上具有若干沟槽；采用化学气相沉积工艺在衬底表面及沟槽的内壁交替形成电极层及介电层，其中，电极层包括金属氮化物，在每次形成电极层之后和/或形成介电层之前，向衬底表面及沟槽内通入氧源气体；利用交替堆叠的所述电极层及所述介电层形成所述沟槽电容结构。本发明用于改善制造沟槽电容结构过程中的凝结状缺陷以提高良率。

天眼查资料显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1150000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司参与招投标项目75次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息555条，此外企业还拥有行政许可211个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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