南亚科技申请具有外延轻度掺杂部分的半导体元件及其制造方法专利，栅极结构厚度与特定深度比率介于约7.00与约3.60之间_资讯

南亚科技申请具有外延轻度掺杂部分的半导体元件及其制造方法专利，栅极结构厚度与特定深度比率介于约7.00与约3.60之间

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2025-12-07 00:07:56

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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有外延轻度掺杂部分的半导体元件及其制造方法”的专利，公开号CN121078756A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本申请案涉及具有外延轻度掺杂部分的半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括：一基板；多个凹槽，从该基板的一顶表面凹陷且定义一通道区，其中该通道区位于该多个凹槽之间且相邻于该基板的该顶表面；一栅极结构，位于该通道区上；多个杂质区，包括多个轻度掺杂部分位于该基板之中且以该通道区位于其间的方式而彼此分隔，以及多个主体掺杂部分位于该基板之中且相应地连接到该多个轻度掺杂部分。该栅极结构的一厚度与介于该基板的该顶表面与该多个轻度掺杂部分的一顶表面之间的一最大深度的比率介于约7.00与约3.60之间。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

科技栅极投资半导体厚度元件南亚外延表面部分南亚科技基板通道区

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