北方集成电路技术创新中心申请一种半导体结构及其形成方法专利，提高器件的可靠性_资讯

北方集成电路技术创新中心申请一种半导体结构及其形成方法专利，提高器件的可靠性

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2025-12-06 19:38:06

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国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121076054A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：在半导体衬底上形成复合介质层；刻蚀所述介质层以及半导体衬底至形成深沟槽，所述深沟槽的侧壁具有交替排布的若干尖角和凹部；采用离子束刻蚀工艺，调整刻蚀离子的入射角，使所述刻蚀离子分别作用于所述深沟槽侧壁的不同区域，以去除部分或者全部所述尖角，并使所述深沟槽侧壁尖角与所述凹部之间的平均间距变小；去除所述复合介质层。所述方法可使深沟槽硅电容器的击穿电压均匀分布，提高器件的可靠性。

天眼查资料显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司，成立于2017年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息440条，此外企业还拥有行政许可125个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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