中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，有利于保障半导体结构的质量_资讯

中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，有利于保障半导体结构的质量

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2025-12-06 19:38:22

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121076051A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成阻挡层，阻挡层中形成有贯穿阻挡层且露出基底顶部的开口；在阻挡层上形成标记层，标记层中形成有第一标记凹槽和第二标记凹槽，第一标记凹槽环绕第二标记凹槽，且在纵向上，第一标记凹槽的投影在阻挡层中，第二标记凹槽的投影在开口中；沿第一标记凹槽和第二标记凹槽在纵向上进行图形传递至基底中，在基底中形成与第二标记凹槽对应的凹槽；在凹槽中形成第一标记层；在第一标记层周围的基底上方形成环绕第一标记层的第二标记层。本发明有利于保障半导体结构的质量。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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