南亚科技申请半导体结构及其制造方法专利，可减少栅极诱导漏极泄漏效应
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2025-12-06 12:38:37
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121078777A，申请日期为2025年8月。专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其制造方法。此方法包括形成第一沟槽在基板中及形成第一栅极结构在第一沟槽中。形成第一栅极结构在第一沟槽中包括以下操作。沉积第一介电层以覆盖第一沟槽的内表面。第一栅极在第一沟槽中与第一介电层上形成。沉积第二介电层以覆盖第一栅极与第一介电层。蚀刻第二介电层的部分以暴露第一栅极。沉积第三介电层以覆盖第一栅极与第二介电层。第二栅极在第一沟槽中与第三介电层上形成。本发明的半导体结构可减少栅极诱导漏极泄漏效应。
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