国家知识产权局信息显示,深圳市斑岩光子技术有限公司申请一项名为“一种半导体器件结构及半导体器件芯片”的专利,公开号CN121069650A,申请日期为2025年8月。
专利摘要显示,本发明公开一种半导体器件结构,包括衬底,以及在衬底上单次外延形成的外延结构;所述外延结构包括依次生长的位于底层的P型掺杂层、包含有多量子阱结构的本征掺杂层和位于顶层的N型掺杂层,还包括在所述外延结构上制作的一条连续的光波导结构,以及基于光波导部分区域制作的第一电吸收光调制器和第二电吸收光调制器。本发明通过基于离子注入的电学隔离方法实现了适用于差分驱动的双段高速电吸收调制器,在有源调制总长度固定的情况下,相比普通单端驱动的单段电吸收光调制器,可以将器件的有效RC常数减少一半以提高电光调制带宽,因而能支持更高速的光传输场景。
天眼查资料显示,深圳市斑岩光子技术有限公司,成立于2020年,位于深圳市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本277.2912万人民币。通过天眼查大数据分析,深圳市斑岩光子技术有限公司参与招投标项目1次,财产线索方面有商标信息8条,专利信息33条,此外企业还拥有行政许可8个。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
来源:市场资讯