陛通半导体申请沉积件及沉积设备专利，提升局部均匀性_资讯

陛通半导体申请沉积件及沉积设备专利，提升局部均匀性

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2025-12-06 09:08:44

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国家知识产权局信息显示，陛通半导体设备（苏州）有限公司申请一项名为“沉积件及沉积设备”的专利，公开号CN121065637A，申请日期为2025年11月。专利摘要显示，本发明提供一种沉积件及沉积设备，所述沉积件包括：沉积环、中心节点以及多个支撑杆；所述中心节点设置于所述沉积环的中心位置；所述支撑杆的第一端与所述中心节点连接，所述支撑杆的第二端与所述沉积环连接，所述支撑杆具有绕自身轴线的扭转；多个所述支撑杆环绕所述中心节点呈放射状排布，以将所述沉积环和所述中心节点之间的区域分割为多个沉积区域。如此配置，通过将支撑杆配置为绕自身轴线扭转，改变支撑杆不同位置处相对于靶材方向的投影面积或投影角度，从而调节支撑杆在晶圆上的投影，改善薄膜电阻的图案趋势，同时调节不同位置的薄膜厚度，提升局部均匀性。

天眼查资料显示，陛通半导体设备（苏州）有限公司，成立于2020年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20500万人民币。通过天眼查大数据分析，陛通半导体设备（苏州）有限公司参与招投标项目3次，专利信息37条，此外企业还拥有行政许可8个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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