山西中科潞安紫外光电申请紫外发光二极管的制备方法及紫外发光二极管专利_资讯

山西中科潞安紫外光电申请紫外发光二极管的制备方法及紫外发光二极管专利

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2025-12-06 00:07:11

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国家知识产权局信息显示，山西中科潞安紫外光电科技有限公司申请一项名为“紫外发光二极管的制备方法及紫外发光二极管”的专利，公开号CN121078858A，申请日期为2025年11月。专利摘要显示，本发明涉及一种紫外发光二极管的制备方法及紫外发光二极管，属于二极管制备技术领域。方法包括：在衬底上表面生长外延层；台面刻蚀至n-AlGaN薄膜中部，形成n电极台面；从n电极台面上表面开始向下刻蚀至AlN缓冲层中，形成周期阵列形式的第一通孔；在第一通孔外围沉积Au薄膜；将外延片放入熔融态KOH中来对第一通孔进行侧壁粗化；通过HCl溶液清洗并进行去离子水冲洗；在第一通孔内沉积高反射金属薄膜；沉积SiO。

天眼查资料显示，山西中科潞安紫外光电科技有限公司，成立于2018年，位于长治市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41315.9166万人民币。通过天眼查大数据分析，山西中科潞安紫外光电科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息110条，专利信息328条，此外企业还拥有行政许可17个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示投资山西台面薄膜通孔紫外光专利 n电极二极管

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