福州伏智科技申请非高掺杂下电势变化小于费米能级变化的半导体器件及其制备方法与应用专利，实现非高掺杂下电势变化小于费米能级变化
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2025-12-05 14:37:50
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国家知识产权局信息显示，福州伏智科技有限公司、厦门大学申请一项名为“一种非高掺杂下电势变化小于费米能级变化的半导体器件及其制备方法与主要应用”的专利，公开号CN121060584A，申请日期为2025年8月。专利摘要显示，本发明公开了一种非高掺杂下电势变化小于费米能级变化的半导体器件及其制备方法与主要应用；该半导体器件包括第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层设在所述第二半导体层上并与其形成半导体异质结或同质结。所述第一半导体层和所述第二半导体层的材料掺杂浓度均小于10。
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