国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利,公开号CN121057208A,申请日期为2025年5月。专利摘要显示,半导体装置可以包括:衬底;有源区,设置在衬底上方;埋置层,设置在衬底和有源区之间;隔离结构,围绕有源区的底表面和侧表面并且围绕埋置层的侧表面;栅极沟槽,形成在有源区中;栅极介电层,形成在栅极沟槽上;以及栅电极,设置在栅极介电层之上并且部分填充栅极沟槽。
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