爱思开海力士申请半导体装置及其制造方法专利
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2025-12-05 12:09:57
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN121057208A，申请日期为2025年5月。专利摘要显示，半导体装置可以包括：衬底；有源区，设置在衬底上方；埋置层，设置在衬底和有源区之间；隔离结构，围绕有源区的底表面和侧表面并且围绕埋置层的侧表面；栅极沟槽，形成在有源区中；栅极介电层，形成在栅极沟槽上；以及栅电极，设置在栅极介电层之上并且部分填充栅极沟槽。
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