FEI申请磁浸没场中的光电倍增管的磁屏蔽专利，强磁场中的PMT操作令人满意
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2025-12-05 10:10:56
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国家知识产权局信息显示，FEI公司申请一项名为“磁浸没场中的光电倍增管的磁屏蔽”的专利，公开号CN 121054457 A，申请日期为2025年5月。专利摘要显示，本公开涉及磁浸没场中的光电倍增管的磁屏蔽。使用闪烁体的带电粒子检测器安置在真空室中，并且包括光电倍增管(PMT)，该PMT安置在磁物镜的极片处或附近。为了保持令人满意的PMT操作，该PMT安置在由高饱和值磁性材料构造的PMT屏蔽件内。利用所公开的屏蔽件，即使对于至少0.5T的磁场幅值，强磁场中的PMT操作也是令人满意的。
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