首芯半导体申请薄膜沉积设备专利，至少有利于在晶圆上形成质量较高且厚度较厚的膜层_资讯

首芯半导体申请薄膜沉积设备专利，至少有利于在晶圆上形成质量较高且厚度较厚的膜层

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2025-12-04 09:12:22

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国家知识产权局信息显示，江苏首芯半导体科技有限公司申请一项名为“薄膜沉积设备”的专利，公开号CN121046821A，申请日期为2025年8月。专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，提供一种薄膜沉积设备，至少有利于在晶圆上形成质量较高且厚度较厚的膜层。薄膜沉积设备包括：腔体，腔体包括相互连接的上腔体和下腔体；载台，载台设置于腔体内，载台的表面用于放置晶圆；隔离部件，隔离部件设置于腔体内，隔离部件用于将上腔体和下腔体相互隔离；控制器，控制器与载台和隔离部件连接，控制器被配置为交替执行沉积步骤和清洁步骤；沉积步骤包括：控制载台处于上腔体中，并在晶圆表面沉积薄膜；清洁步骤包括：控制载台处于下腔体中，并且控制隔离部件将上腔体和下腔体相互隔离，单独对上腔体进行清洁处理。

天眼查资料显示，江苏首芯半导体科技有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1433.9071万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏首芯半导体科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目7次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息29条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业投资隔离质量薄膜设备控制器导体包括专利腔体晶圆下腔体部件

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