美光科技申请半导体装置及其形成方法专利，优化布线层布局
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2025-12-03 18:09:12
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国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“半导体装置及其形成方法”的专利，公开号CN121057207A，申请日期为2025年5月。
专利摘要显示，本申请案涉及半导体装置及其形成方法。一种实例设备包含：存储器单元电容器；存储器单元晶体管，其具有扩散区；重布结构，其耦合在所述存储器单元晶体管的所述扩散区中的一者与所述存储器单元电容器之间；第一布线；外围晶体管，其具有扩散区；及接触插塞，其连接在所述外围晶体管的所述扩散区中的一者与所述第一布线之间。所述第一布线位于比所述重布结构所在的层更高的层上。
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