中电海康申请磁存储单元及其制造方法、磁存储器专利，提高磁存储单元中自旋源层的SOT效率_资讯

中电海康申请磁存储单元及其制造方法、磁存储器专利，提高磁存储单元中自旋源层的SOT效率

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2025-12-03 16:08:15

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国家知识产权局信息显示，中电海康集团有限公司申请一项名为“磁存储单元及其制造方法、磁存储器”的专利，公开号CN121057493A，申请日期为2025年11月。专利摘要显示，本申请提供一种磁存储单元及其制造方法、磁存储器，该磁存储单元包括：依次层叠设置的钉扎层、参考层、势垒层、自由层和复合自旋源层；其中，复合自旋源层包括：用于通入翻转电流以产生自旋流的拓扑绝缘体层；以及，具有高轨道霍尔电导率和/或高轨道流-自旋流转化效率的非磁金属层，其中，非磁金属层设置于自由层与拓扑绝缘体层之间，以与拓扑绝缘体层协同驱动自由层的磁矩翻转。本申请能够提高磁存储单元中自旋源层的SOT效率，降低器件翻转电流和翻转电流密度。

天眼查资料显示，中电海康集团有限公司，成立于2002年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本84500万人民币。通过天眼查大数据分析，中电海康集团有限公司共对外投资了39家企业，参与招投标项目437次，财产线索方面有商标信息71条，专利信息542条，此外企业还拥有行政许可14个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造方法显示中电投资自由金属层海康专利磁存储单元体层旋源层自由层

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