长江存储申请半导体结构及其制备方法等专利，实现数据读取和写入操作_资讯

长江存储申请半导体结构及其制备方法等专利，实现数据读取和写入操作

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2025-12-02 21:08:54

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备”的专利，公开号CN121057194A，申请日期为2024年5月。专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域。该半导体结构包括：间隔设置的多个晶体管、介质层、第一连接结构和导电层。介质层设置在多个晶体管的阱结构的一侧，且部分介质层延伸入相邻的两个晶体管之间。第一连接结构设置于介质层，其中，第一连接结构靠近介质层远离晶体管的一侧，且与晶体管的阱结构连接。导电层设置在介质层远离晶体管的一侧，第一连接结构与导电层连接。上述半导体结构应用于动态随机存取存储器中，以实现数据的读取和写入操作。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1438次，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可995个。

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来源：市场资讯

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