晶越半导体申请一种导流装置及化学气相沉积设备专利，促进半导体晶体尤其是大尺寸晶体生长的均匀性_资讯

晶越半导体申请一种导流装置及化学气相沉积设备专利，促进半导体晶体尤其是大尺寸晶体生长的均匀性

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2025-12-02 14:10:32

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国家知识产权局信息显示，浙江晶越半导体有限公司申请一项名为“一种导流装置及化学气相沉积设备”的专利，公开号CN121023636A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及化学气相沉积设备的结构优化设计。一种导流装置，安装于密闭的沉积腔体内；所述导流装置包括转动结构和设置在所述转动结构下端的混匀结构；所述转动结构包括转动轴，安装于所述转动轴上、相互平行且呈上下分布的上旋转臂和下旋转臂；所述混匀结构具有气体通道。本发明通过结构的改进，以期于优化气相热解物质分布均匀性，促进半导体晶体尤其是大尺寸晶体生长的均匀性。

天眼查资料显示，浙江晶越半导体有限公司，成立于2020年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20396.6571万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江晶越半导体有限公司参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息47条，专利信息45条，此外企业还拥有行政许可7个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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