新存科技申请存储器及其制备方法专利，避免选通膜层发生损伤_资讯

新存科技申请存储器及其制备方法专利，避免选通膜层发生损伤

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2025-12-02 09:37:55

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国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“存储器及其制备方法”的专利，公开号CN121038292A，申请日期为2025年7月。专利摘要显示，本申请公开了一种存储器及其制备方法，涉及存储器技术领域，用于解决现有第一导电层与选通膜层同步刻蚀，会导致选通膜层出现形貌改变，进而影响存储器性能的问题。本申请提供的存储器的制备方法包括：形成第一导电层；在第一导电层的表面形成存储结构层，存储结构层包括选通材料层；对存储结构层进行图形化处理，形成多个相互分立的中间存储结构，各中间存储结构包括由选通材料层形成的选通膜层；在中间存储结构的侧壁表面形成第一侧墙；以第一侧墙和中间存储结构为掩膜刻蚀第一导电层。本申请在对存储结构层进行图形化处理和刻蚀第一导电层之间引入第一侧墙，以在刻蚀第一导电层的过程中对选通膜层进行保护，避免选通膜层发生损伤。

天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1785.754万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目5次，专利信息164条。

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来源：市场资讯

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