博世申请电路单元、布置及减少半导体开关损耗方法专利，减少半导体开关的开关损耗_资讯

博世申请电路单元、布置及减少半导体开关损耗方法专利，减少半导体开关的开关损耗

创始人

2025-12-01 16:08:09

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国家知识产权局信息显示，罗伯特·博世有限公司申请一项名为“电路单元、电路布置和用于减少半导体开关的开关损耗的方法”的专利，公开号CN121036751A，申请日期为2025年5月。

专利摘要显示，本发明涉及一种电路单元、电路布置和用于减少半导体开关(T1)的开关损耗的方法，电路单元包括：半导体开关(T1)、辅助开关(S1)、电容器(C1)和逻辑单元(10)，其中由辅助开关(S1)和电容器(C1)组成的串联电路与半导体开关(T1)的负载路径并联，其中，逻辑单元(10)设置为：在半导体开关(T1)的接通状态下求取通过半导体开关(T1)待切换的、沿负载路径流动的电流(IL)的电流强度，如果求取的电流强度高于预定义的电流阈值，则在半导体开关(T1)的关断过程之前闭合辅助开关(S1)或将其保持在闭合状态，且如果求取的电流强度不高于预定义的电流阈值，则在半导体开关(T1)的关断过程之前断开辅助开关(S1)或将其保持在断开状态。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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