中茵微电子申请电源合路及soc芯片内部多输入供电电路专利，提高芯片使用的安全性和稳定性_资讯

中茵微电子申请电源合路及soc芯片内部多输入供电电路专利，提高芯片使用的安全性和稳定性

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2025-11-29 18:36:34

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国家知识产权局信息显示，中茵微电子（成都）有限公司申请一项名为“一种电源合路及soc chip内部多输入供电电路”的专利，公开号CN121036482A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本发明提供一种电源合路及soc chip内部多输入供电电路，该电路包括：防倒灌模块、第一比较器和限流模块；所述限流模块的输出端与所述防倒灌模块的输入端连接，所述第一比较器的正输入端与所述限流模块的输入端连接，负输入端与所述限流模块的输出端连接，输出端与所述限流模块的内部限流支路连接；所述防倒灌模块用于避免出现反向电流，导致输入端的电源损坏。本发明通过电压检测模块探测芯片供电支路的电压参数，根据电压参数对供电支路进行电压调整，能防止芯片被过高的电压损坏，还能降低每个支路的电压偏差，避免出现倒灌损坏、欠压保护等问题，提高了芯片使用的安全性和稳定性，还能节约芯片面积，降低生产成本。

天眼查资料显示，中茵微电子（成都）有限公司，成立于2023年，位于成都市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，中茵微电子（成都）有限公司拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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