长鑫科技申请半导体结构及其制造方法专利_资讯

长鑫科技申请半导体结构及其制造方法专利

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2025-11-29 16:07:53

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国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121038271A，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：衬底；位线结构，位线结构沿第三方向设置于衬底上，第三方向平行于衬底，位线结构包括沿所述第三方向排列的第一部与第二部；第一叠层结构和第二叠层结构，第一叠层结构和第二叠层结构设置于位线结构两侧，并与第一部连接；第一引出结构和第二引出结构，第一引出结构和第二引出结构设置于位线结构两侧，并与第二部连接；第一引出结构具有在第一方向上相互错开的第一接触垫和第二引出结构具有在第一方向上相互错开的第二接触垫，第一方向与衬底相交。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1083次，财产线索方面有商标信息236条，专利信息605条，此外企业还拥有行政许可34个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造显示科技投资方向位线导体结构专利半导体叠层衬底

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