吉林华微电子申请快恢复二极管的制作方法、快恢复二极管及电子设备专利，避免第二钝化层出现掉落的问题_资讯

吉林华微电子申请快恢复二极管的制作方法、快恢复二极管及电子设备专利，避免第二钝化层出现掉落的问题

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2025-11-27 20:38:08

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国家知识产权局信息显示，吉林华微电子股份有限公司申请一项名为“快恢复二极管的制作方法、快恢复二极管及电子设备”的专利，公开号CN 121013356 A，申请日期为2025年8月。专利摘要显示，本申请提供一种快恢复二极管的制作方法、快恢复二极管及电子设备，涉及半导体技术领域。快恢复二极管的制作方法包括：提供一器件结构，器件结构包括衬底、氧化层、多晶硅层及第一金属层；在第一金属层远离衬底的一侧形成第一钝化层，并在第一钝化层远离衬底的一侧形成第二钝化层；设置预设刻蚀区域，基于预设刻蚀区域对第一钝化层和第二钝化层进行刻蚀在第一钝化层形成第一实际刻蚀区域，在第二钝化层形成第二实际刻蚀区域，第一实际刻蚀区域在衬底上的正投影边缘不超过第二实际刻蚀区域在衬底上的正投影边缘，如此，可以避免第二钝化层出现掉落的问题，从而提升产品质量。

天眼查资料显示，吉林华微电子股份有限公司，成立于1999年，位于吉林市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本96029.5304万人民币。通过天眼查大数据分析，吉林华微电子股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目62次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息274条，此外企业还拥有行政许可20个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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