润西微电子申请肖特基势垒二极管及其制造方法专利，漏电流低、正向导通压降低，器件功耗低_资讯

润西微电子申请肖特基势垒二极管及其制造方法专利，漏电流低、正向导通压降低，器件功耗低

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2025-11-27 11:21:49

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国家知识产权局信息显示，润西微电子（重庆）有限公司申请一项名为“肖特基势垒二极管及其制造方法”的专利，公开号CN 121011588 A，申请日期为2024年5月。专利摘要显示，本发明涉及一种肖特基势垒二极管及其制造方法，所述肖特基势垒二极管包括：半导体层；势垒金属层，位于所述半导体层上、且与所述半导体层直接接触；阳极金属接触层，位于所述势垒金属层上，所述阳极金属接触层包括金层；钝化层，包围所述势垒金属层的侧壁，所述钝化层的内表面与所述势垒金属层的侧壁直接接触，所述钝化层在所述势垒金属层上方形成有圆形的开口，所述阳极金属接触层的下部位于所述开口中。本发明的漏电流低、正向导通压降低，因此器件的功耗低。该圆形开口使作为焊盘的阳极金属接触层厚度更加均匀，并且受力均匀，应力得到改善，同时降低缺陷可能带来的异常影响。

天眼查资料显示，润西微电子（重庆）有限公司，成立于2021年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，润西微电子（重庆）有限公司参与招投标项目1782次，专利信息6条，此外企业还拥有行政许可24个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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