长鑫科技申请半导体结构及制备方法专利，提高半导体结构的电性能_资讯

长鑫科技申请半导体结构及制备方法专利，提高半导体结构的电性能

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2025-11-27 11:20:48

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国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及半导体结构的制备方法”的专利，公开号CN 121013645 A，申请日期为2024年5月。专利摘要显示，本公开提供了半导体结构及半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：基底，基底中形成有若干电容接触结构；第一支撑层，设置在基底上；电容孔，贯穿第一支撑层，暴露出电容接触结构；其中，第一支撑层在远离基底的一侧具有沿第一方向延伸的第一凹槽，第一支撑层在靠近基底的一侧具有沿第一方向延伸的第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽在第二方向上交错设置。根据本公开实施例，能够提高半导体结构的电性能。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1082次，财产线索方面有商标信息236条，专利信息605条，此外企业还拥有行政许可34个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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