苏纳光电申请沟槽电容电极结构及沟槽电容专利，极大程度提高沟槽电容容值密度_资讯

苏纳光电申请沟槽电容电极结构及沟槽电容专利，极大程度提高沟槽电容容值密度

创始人

2025-11-27 11:18:12

0次

国家知识产权局信息显示，苏州苏纳光电有限公司申请一项名为“沟槽电容电极结构及沟槽电容”的专利，公开号CN 121013393 A，申请日期为2025年8月。专利摘要显示，本发明公开了一种沟槽电容电极结构及沟槽电容，通过环形嵌套设置的第一基元构成基元单元，并在基底第一表面上高密度排列，配合同样呈现高密度排列的互联单元，极大程度提高了沟槽电容容值密度的同时，有效增加了电极表面积并优化了电场分布，提升了器件的高频特性，显著提升了器件的电学性能，平衡了应力翘曲，提高了器件的结构稳定性。

天眼查资料显示，苏州苏纳光电有限公司，成立于2014年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本626.9992万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州苏纳光电有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目31次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息173条，此外企业还拥有行政许可7个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业电极投资沟槽程度苏纳电容结构专利苏州容值

上一篇：奥趋光电取得一种氮化铝衬底批量湿法腐蚀装置及其方法专利

下一篇：顺络电子：钽电容产品已配套供应产品线，发展趋势向好

苏纳光电申请沟槽电容电极结构及沟槽电容专利，极大程度提高沟槽电容容值密度

相关内容

热门资讯