长江存储申请半导体结构及其制备方法、存储器和存储器系统专利，第二栅极层沿堆叠方向的尺寸大于第一栅极层沿堆叠方向的尺寸_资讯

长江存储申请半导体结构及其制备方法、存储器和存储器系统专利，第二栅极层沿堆叠方向的尺寸大于第一栅极层沿堆叠方向的尺寸

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2025-11-27 11:17:18

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储器和存储器系统”的专利，公开号CN121013350A，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，本申请实施方式提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器和存储器系统，其中，半导体结构包括：堆叠结构，包括交错层叠的绝缘层和栅极层，栅极层包括第一栅极层和第二栅极层，第二栅极层沿堆叠结构的堆叠方向位于第一栅极层的一侧，一第二栅极层沿堆叠方向的尺寸大于一第一栅极层沿堆叠方向的尺寸；以及第一隔离结构，贯穿第二栅极层以及第二栅极层背离第一栅极层一侧的绝缘层。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1432次，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可995个。

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来源：市场资讯

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