美光科技申请存储器电路系统及形成方法专利_资讯

美光科技申请存储器电路系统及形成方法专利

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2025-11-25 12:08:51

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国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法”的专利，公开号CN 121001344 A，申请日期为2025年5月。

专利摘要显示，本公开涉及存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法。存储器电路系统包括晶体管，其个别地包括一个及另一源极/漏极区、其间的沟道区，以及可操作地靠近沟道区的栅极。导电通路个别地位于所述另一源极/漏极区中的个别者正上方且电耦合到所述另一源极/漏极区中的个别者，且个别地位于在横向位于多个晶体管的所述一个源极/漏极区的侧上方的绝缘材料中的腔中。绝缘性材料位于腔中周向围绕个别导电通路且包括SiOxCy，其中“x”是0.46到1.8且“y”是0.01到1.1。腔中的至少大部分绝缘性材料是SiOxCy。数字线沿着多个晶体管的线个别地直接电耦合到多个导电通路。存储元件个别地电耦合到所述一个源极/漏极区中的个别者。公开包含方法的其它实施例。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法显示导电投资通路存储器 SiOxCy 耦合晶体管专利电路漏极区个别者

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