美光科技申请存储器单元的多步模拟编程收敛专利，实现存储器单元的多步模拟编程收敛
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2025-11-24 18:08:59
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国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“存储器装置中的存储器单元的多步模拟编程收敛”的专利，公开号CN 120998274 A，申请日期为2025年5月。专利摘要显示，本申请涉及存储器装置中的存储器单元的多步模拟编程收敛。存储器装置中的控制逻辑启动对存储器装置的存储器阵列的编程操作，所述存储器阵列包括多个存储器单元，且所述编程操作包括多个编程脉冲。所述控制逻辑在施加所述多个编程脉冲中的第一编程脉冲之后进一步基于相应阈值电压来识别所述多个存储器单元的第一子组及所述多个存储器单元的第二子组，且在施加所述多个编程脉冲中的第二编程脉冲之前使对应于所述多个存储器单元的第一子组的所述存储器阵列的一或多个柱中的电压电势升压。
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