上海集成电路装备材料产业创新中心申请版图光学临近修正方法、装置、设备及存储介质专利，实现对通孔图形的修正_资讯

上海集成电路装备材料产业创新中心申请版图光学临近修正方法、装置、设备及存储介质专利，实现对通孔图形的修正

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2025-11-24 09:37:58

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国家知识产权局信息显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请一项名为“一种版图光学临近修正方法、装置、设备及存储介质”的专利，公开号CN 120993661 A，申请日期为2024年5月。专利摘要显示，本发明公开了一种版图光学临近修正方法、装置、设备及存储介质，应用于芯片制备技术领域，包括：确定经过光学临近效应修正后的通孔图形中，基于掩模规则检查存在边缘放置误差量不足的第一待修正图形；将第一待修正图形中基于掩模规则检查存在边缘放置误差量不足的待调整边向远离第一待修正图形中心的方向移动目标距离；目标距离为使第二待修正图形在光刻仿真后满足边缘放置误差量的距离；从第二待修正图形中与另一通孔图形角对角相对的角部移除目标矩形，得到修正后图形。通过对由于掩模规则检查存在边缘放置误差量不足的通孔图形，通过移动待调整边来满足边缘放置误差量，再挖出目标矩形形成缺角来满足掩模规则检查，实现对通孔图形的修正。

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来源：市场资讯

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