2017年前，国内最重要的两大存储芯片3D NAND以及DRAM的产能为0，100%靠从国外进口，像三星、SK海力士、美光等，就一直在中国大卖特卖，赚的盆满钵满。

并且它们还搞出各种阴谋阳谋来收割市场，比如洪灾，火灾，雪灾、地震等，然后就会涨价。

不过，后来中国两大存储芯片厂商崛起，分别是长江存储，专攻3D NAND存储，长鑫存储攻攻DRAM内存。

其实本来还有一家晋华的，三大存储厂商要突破，但晋华在美光的各种阴招之下，受到影响，几乎是停滞了，可见这些国外厂商，有多不希望中国存储崛起，抢它们的饭碗。

不过，再怎么阻挡，目前长存、长鑫的崛起也是势不可挡了。

哪怕后来美国限制先进的芯片卖给中国，列入清单，也阻挡不了国产存储芯片的进步，数据显示，目前中国存储芯片厂商，已经占到了10%以上的份额。

这是为什么呢，其它原因非常简单，那就是对于存储芯片而言，最重要的是刻蚀机，而不是光刻机。

而刻蚀机，国内已经拥有最先进的，完全不用担心被卡脖子。

存储芯片与逻辑芯片不一样。

逻辑芯片需要从10nm到5nm到3nm，到2nm……不断的前进，所以EUV是必不可少的，没有EUV，到了5nm时，就非常困难了，就算真的多重曝光，也是成本大增，良率急剧降低，根本扛不住。

但存储芯片不一样，存储芯片不能一个劲的微缩，按照专业人士的说法，存储芯片到了15nm之后，再微缩就会造成存储芯片的不稳定。对于存储芯片而言，稳定才是一切，性能在稳定面前，一文不值。

所以存储芯片为了提高性能，提高存储密度，并不是一味的提高工艺，而是采用更为复杂的3D 立体结构。

像NAND闪存，就是64层，128层，232层，300层，400层等这样叠加的，像HBM也是多层DDR叠加工艺……

所以对于这样的3D复杂结构，同时工艺又不要求什么3nm、2nm的存储芯片而言，刻蚀设备比光刻机更重要，因为刻蚀才是保证这么多层的结构不出问题，更要求的是刻蚀技术实现更高的深宽比。

目前像中微的刻蚀机，早达到了3nm的水平，像北方华创的刻蚀机，还有屹唐半导体，这几大国产刻蚀机厂商，在全球都是处于顶尖水平的。

所以存储芯片领域，美国还真不太好卡，这也是为何明明限制了先进设备，我们的存储芯片依然不断的突破的原因，因为核心设备，我们自己能搞定。

这也告诉我们，只有自己掌握了真正的核心科技，才能真正的不受制于人，所以大家加油吧，要补的课，还有很多。