乾照光电获得发明专利授权：“一种GaN基外延结构及其制作方法、GaN基发光器件”_资讯

乾照光电获得发明专利授权：“一种GaN基外延结构及其制作方法、GaN基发光器件”

创始人

2025-11-13 03:36:22

0次

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示乾照光电（300102）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种GaN基外延结构及其制作方法、GaN基发光器件”，专利申请号为CN202211659594.8，授权日为2025年11月11日。

专利摘要：本发明提供一种GaN基外延结构及其制作方法、GaN基发光器件，该GaN基外延结构包括：设置在图形化蓝宝石衬底表面的堆叠结构，堆叠结构包括依次层叠岛状生长区、岛状快速合并区、超晶格生长区和GaN高质量区，其中，岛状生长区为柱状结构，其形成的晶体质量更好，位错密度更低；岛状快速合并区的原子扩散长度大于岛状生长区的原子扩散长度，能在岛状快速合并区产生位错线释放应力，并结合超晶格生长区使位错线在超晶格生长区中弯曲、倾斜，最终消失，既能获得超薄的GaN基外延结构，还能提高GaN基外延结构的晶体质量。

今年以来乾照光电新获得专利授权29个，较去年同期增加了61.11%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了8878.26万元，同比增26.51%。

通过天眼查大数据分析，厦门乾照光电股份有限公司共对外投资了17家企业，参与招投标项目40次；财产线索方面有商标信息23条，专利信息550条，著作权信息2条；此外企业还拥有行政许可30个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。

企业投资信息合并方面乾照光电天眼外延结构专利岛状 GaN 合并区超晶格基发

上一篇：宁德时代获得发明专利授权：“二氧化锡纳米材料及其制备方法、气敏传感器、二次电池和用电装置”

下一篇：杰华特获得实用新型专利授权：“一种高压隔离电容”

乾照光电获得发明专利授权：“一种GaN基外延结构及其制作方法、GaN基发光器件”

相关内容

热门资讯