聚灿光电获得发明专利授权：“一种高光效结构红光Micro发光二极管外延片及其制备方法”_资讯

聚灿光电获得发明专利授权：“一种高光效结构红光Micro发光二极管外延片及其制备方法”

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2025-10-29 05:35:09

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示聚灿光电（300708）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种高光效结构红光Micro发光二极管外延片及其制备方法”，专利申请号为CN202410788099.X，授权日为2025年10月28日。

专利摘要：本发明涉及一种高光效结构红光Micro发光二极管外延片及其制备方法，旨在通过创新结构设计和精密制造过程显著提升红光Micro LED的光效。本发明通过在P侧与量子阱发光区间引入AlInP/AlGaInP复合限制层以及P型与N型材料交替生长的超晶格结构，有效限制电子外溢，提高载流子复合效率。该外延片结构包括GaAs基底、GaAs缓冲层、GaInP腐蚀停止层、N‑GaAs欧姆接触层等关键层次。制备方法利用金属有机物气相沉积法，精确控制各层的生长条件。本发明的高光效红光Micro LED外延片适用于高性能显示和照明领域，具有重要的实践价值和广阔的市场前景。

今年以来聚灿光电新获得专利授权3个，与去年同期持平。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6399.84万元，同比增5.87%。

通过天眼查大数据分析，聚灿光电科技股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目10次；财产线索方面有商标信息19条，专利信息173条；此外企业还拥有行政许可16个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。

方法 AlInP 天眼红光 Micro 聚灿外延 GaAs 结构专利高光效延片灿光电二极管

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