金融界2025年8月9日消息,国家知识产权局信息显示,美光科技公司申请一项名为“存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法”的专利,公开号CN120452493A,申请日期为2021年02月。
专利摘要显示,本申请案涉及存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法。方法包括在上方形成数字线并且数字线电耦合到其下方的存储器单元。数字线在竖直横截面中相对于彼此横向间隔开。向上开放的空隙空间横向地位于竖直横截面中的紧邻的数字线之间。用掩蔽材料覆盖数字线的导电材料,掩蔽材料在向上开放的空隙空间中并且不足以填满向上开放的空隙。从数字线的顶部正上方去除掩蔽材料以暴露导电数字线材料,并在向上开放的空隙空间中的导电数字线材料的侧壁上方留下掩蔽材料。绝缘材料相对于掩蔽材料跨越向上开放的空隙空间从暴露的导电数字线材料选择性地生长以形成在竖直横截面中的紧邻数字线之间的覆盖的空隙空间。公开了与方法无关的结构。
来源:金融界