近日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）宣布在氧化镓同质外延技术上取得重大突破，成功实现了高质量6英寸氧化镓同质外延生长。

此次镓仁半导体 的6英寸氧化镓同质外延片表现优异。外延层厚度超过10微米，厚度均匀性优异，方差σ小于1%。高分辨XRD摇摆曲线半高宽小于40弧秒，表明外延层结晶质量高、晶格完整性良好。通过电容-电压（C-V）法测试，外延层载流子浓度介于1.60E16cm⁻³至1.92E16cm⁻³之间，标准方差为6.08%，证实外延层电学均匀性良好。

图片来源：镓仁半导体 图为红外反射膜厚测试曲线

图片来源：镓仁半导体 图为膜厚测试点位分布及对应结果

图片来源：镓仁半导体 图为高分辨XRD摇摆曲线及对应点位测试结果

图片来源：镓仁半导体 图为C-V测试点位分布及对应结果

此次突破具有里程碑意义。同质外延避免了异质外延中常见的晶格失配和热膨胀系数差异问题，能生长出高质量的外延层，减少缺陷密度，从而使得基于同质外延材料制造的功率器件更接近氧化镓材料的理论性能极限，具备更低的能量损耗、更高的击穿电压和更稳定的可靠性。此外，6英寸尺寸适配主流硅基半导体产线，可大幅降低下游企业的产业化成本。

公开资料显示，镓仁半导体成立于2022年9月，是一家专注于氧化镓等宽禁带半导体材料及设备研发、生产和销售的科技型企业。公司依托浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室和浙江大学杭州国际科创中心，已形成一支以中科院院士杨德仁为首席顾问的研发和生产团队。公司开创了铸造法氧化镓单晶生长新技术，实现了8英寸单晶生长技术突破，成为国际首家掌握该技术的产业化公司。

（文/集邦化合物半导体整理）

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