威兆中低压MOS管获数十款产品采用
前言
当今，中低压MOS在PD快充中主要应用在同步整流、输出VBUS、同步升降压、无线充电线圈驱动以及充电输入保护电路等几大场景。而随着快充技术的不断发展，充电功率不断提高，对中低压MOS管的导阻、电流承载能力等要求也将不断提升，以满足更高功率快充的需求。而威兆很早便针对PD快充特点针对性推出了各类中低压MOS，满足厂商的多元化需求。
充电头网通过整理2025年度上半年拆解数据，发现威兆旗下中低压MOS管获安克、大疆、小米等知名品牌的数十款产品采用，出货量十分可观。
低压MOS
威兆VS3508AE
威兆VS3508AE是一款耐压30V的增强型PMOS，采用PDFN3333封装，效率高，导阻为8.5mΩ。
这款器件100%通过雪崩测试，采用无铅无卤素工艺制造，符合RoHS规范，常用于作为输出的VBUS开关。
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威兆VS3508AP
威兆VS3508AP是一颗增强型PMOS，开关速度快，耐压-30V，导阻8.8mΩ，采用PDFN5*6封装。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。
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威兆VS3510AE
威兆VS3510AE是一款5V逻辑电平控制的增强型PMOS，耐压30V，采用PDFN3333封装，开关频率高，导阻为10mΩ。
这款器件100% 通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以用于输入保护。
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威兆VS3602GPMT
威兆VS3602GPMT是一颗增强型NMOS，耐压30V，导阻0.6mΩ，采用PDFN5*6封装。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以用于电池保护电路。
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威兆VS3618AE
威兆VS3618AE是一款耐压30V的增强型NMOS，采用PDFN3333封装，导阻为6.4mΩ。
这款器件100% 通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可用于输出VBUS开关。
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威兆VS3618BE
威兆VS3618BE是一款耐压30V的增强型NMOS，封装为PDFN3333，导阻为5.2mΩ。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，在产品中多用作VBUS开关管。
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威兆VS3622DE
威兆VS3622DE是一款耐压30V的增强型双NMOS管，使用5V逻辑电平控制，导阻为10mΩ，采用PDFN3333封装。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以用于两组线圈的切换以及输出端口独立保护。
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威兆VS3698AE
威兆VS3698AE是一款耐压30V的增强型NMOS，导阻为3mΩ，采用PDFN3333封装规格。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，常用于输出VBUS开关。
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威兆VS4504AS
输出VBUS开关管来自威兆，型号VS4504AS，PMOS管，耐压-40V，导阻6.8mΩ，采用SOP8封装。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，常用于输出VBUS开关。
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威兆VS4505APT
威兆VS4505APT是一颗增强型PMOS，耐压-40V，导阻8.7mΩ，采用PDFN5*6封装。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可用于供电切换。
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威兆VS4620GP
威兆VS4620GP是一颗NMOS，耐压40V，导阻6.5mΩ，采用PDFN5*6封装。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。
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威兆VS4620GEMC
威兆VS4620GEMC是一颗采用VitoMOSⅡ技术制造的增强型NMOS，耐压40V，导阻6.4mΩ，采用PDFN3333封装。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，常用于VBUS开关管。
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威兆VSE007N04MS-G
威兆VSE007N04MS-G是一款采用VitoMOSⅡ技术的增强型NMOS，耐压4V，采用PDFN3333封装，导阻为3.2mΩ。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以应用于同步整流降压。
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威兆VSP007N06MS-G
威兆VSP007N06MS-G是一颗增强型PMOS，耐压65V，导阻4.5mΩ，采用PDFN5*6封装。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可用作同步降压电路。
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中压MOS
威兆VS1605APM
威兆VS1605APM是一颗增强型NMOS，耐压100V，导阻6.3mΩ，采用PDFN5*6封装。
这款器件100%通过雪崩测试，采用无铅无卤素工艺制造，符合RoHS规范，可用于同步整流电路。
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威兆VS1804GPH
威兆VS18208GPM是一颗增强型NMOS，耐压100V，导阻3.8mΩ，采用PDFN5*6封装。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可用于同步整流。
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威兆VSF013N10MS3-G
威兆VSF013N10MS3-G是一颗采用VitoMOSⅡ技术制造的增强型NMOS，耐压100V，导阻10mΩ，采用TO-220SF封装。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。
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威兆VSP003N10HS-G
威兆VSP003N10HS-G是一款采用VitoMOS® Ⅱ技术制造的增强型NMOS，采用10V逻辑电平控制，封装为PDFN5x6，拥有3.8mΩ超低导阻，耐压100V，可以用于同步整流电路。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。
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威兆VSP004N10MS-G
威兆VSP004N10MS-G是一款采用VitoMOS® Ⅱ技术制造的增强型NMOS，采用PDFN5x6封装，耐压为100V，拥有3.8mΩ超低导阻，常用于同步整流电路。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。
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威兆VSP2R8N10HS-G
威兆VSP2R8N10HS-G是一颗增强型NMOS管，耐压100V，导阻2.3mΩ，采用PDFN5060X封装。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，适合同步整流电路应用。
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充电头网总结
近两年来，随着PD协议的更新，快充技术再次绽放出新的光彩，从最初的QC快充到各家终端品牌推出的私有快充协议，从以前的10W到如今的200W以上，充电速度越来越快，充电功率也越来越大，同步整流管的要求也越来越严格，快充技术已经在消费类电源市场中得到快速普及，也会带动MOS管市场的发展。
威兆半导体在MOS领域深耕多年，旗下同步整流管家族矩阵十分庞大，可供选择款式众多，能够轻松满足200瓦级别的快充应用，为快充厂商提供了性能更强且更具性价比的选择。目前已经成功进入诸多知名品牌供应链，产品性能获得市场长期验证。
充电头网了解到，深圳市威兆半导体股份有限公司成立于2012年，总部位于深圳市南山智园崇文园区，在珠海、上海、天津、香港等地设有研发中心/办事处，是国家级高新技术企业和专精特新“小巨人”企业。威兆半导体始终聚焦功率器件研发与应用技术研究，凭借多年的科研攻关已成为少数同时具备低压、中压、高压全系列功率MOSFET/IGBT单管以及特殊半导体制程设计能力的先进半导体设计公司。产品涵盖传统硅基及第三代化合物半导体SiC和GaN，并广泛应用于消费类电源、汽车电子、电机驱动、工业电源、通信等领域。