9月1日，云南锗业在互动平台回答投资者提问时表示，公司控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司生产的半绝缘砷化镓晶片（衬底）可用于生产射频器件，相关器件运用场景包括手机等多个领域。

此外，云南锗业同步披露，其化合物半导体材料已成功向国内外多家客户供货，客户反馈使用情况良好。公司正积极推动市场开拓，力求获取更多订单。

半绝缘砷化镓晶片是微电子和光电子的基础材料，在超高速、超高频、低功耗、低噪声器件和电路，特别在光电子器件和光电集成方面占有独特的优势。

作为国内锗资源储备丰富、产能领先的企业，云南锗业通过旗下云南鑫耀半导体材料有限公司，主要提供砷化镓、磷化铟 等高端化合物半导体晶片，广泛应用于射频器件、激光器、光纤通信、红外光电及新能源等战略领域。全球化合物半导体材料市场长期由日本住友电气、美国AXT等国际巨头占据，云南锗业在国产化趋势推动下，技术和产能均实现显著提升。

云南鑫耀采用VGF法单晶生长技术和晶片加工技术，掌握4-8英寸砷化镓单晶片生产关键技术，其产品关键性能指标优异，可满足高端市场需求。云南鑫耀的砷化镓晶片产能为80万片/年（2-4英寸），此前其产品已批量生产，并已向国内外多家客户供货。

公司正推动“先进锗材料建设项目”，以优化生产工艺和智能制造水平，提升产品质量和资源利用率，配合全球低轨卫星通信网络的快速发展，未来市场需求前景广阔。2025年上半年，其化合物半导体材料及其他锗产品销售均取得同比增长，显示公司在新材料领域的持续发展动力。

（文/集邦化合物半导体整理）

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