东芯股份获得发明专利授权：“具有垂直沟道晶体管的存储器及其制造方法”_资讯

东芯股份获得发明专利授权：“具有垂直沟道晶体管的存储器及其制造方法”

创始人

2025-08-27 04:03:22

0次

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示东芯股份（688110）新获得一项发明专利授权，专利名为“具有垂直沟道晶体管的存储器及其制造方法”，专利申请号为CN202210113278.4，授权日为2025年8月12日。

专利摘要：本发明提供具有垂直沟道晶体管的存储器及其制造方法。通过将多条位线围绕半导体柱的下部的外壁形成，将多条字线在多条位线的上方隔着中间绝缘层而围绕半导体柱的外壁形成，使得垂直沟槽晶体管的主体能够直接接触半导体衬底，从而避免垂直沟槽晶体管的主体浮动，且可以缩小器件尺寸，提高器件可靠性。此外，仅通过沉积和蚀刻工艺来形成栅堆叠结构，无需光刻工艺，不借助光掩模而形成字线，结构和工艺较为简单，从而沿用现有设备和材料即可将存储器扩展到10nm以下。

今年以来东芯股份新获得专利授权7个，较去年同期增加了250%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了1.05亿元，同比减0.31%。

通过天眼查大数据分析，东芯半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目3次；财产线索方面有商标信息9条，专利信息62条，著作权信息16条；此外企业还拥有行政许可14个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。

制造股份信息位线天眼存储器东芯导体晶体管专利东芯股份沟道

上一篇：博力威新注册《一种自动识别切换CAN终端电阻方法软件V1.0》项目的软件著作权

下一篇：长电科技获得发明专利授权：“滤波器封装结构及制作方法”

东芯股份获得发明专利授权：“具有垂直沟道晶体管的存储器及其制造方法”

相关内容

热门资讯