MKS申请用于脉冲DC和低频应用的非侵入式IED估计专利，确定负载中工件表面电位
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2025-08-26 16:08:00
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金融界2025年8月26日消息，国家知识产权局信息显示，MKS股份有限公司申请一项名为“用于脉冲DC和低频应用的非侵入式IED估计”的专利，公开号CN120548590A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，一种RF功率生成系统包含：电源，其经配置以生成施加到负载的周期性波形；以及控制器，其经配置以接收指示施加到所述负载的电极的相应电压和电流的电压信号或电流信号中的至少一个。所述控制器根据所述电压信号或所述电流信号中的所述至少一个和所述电极的串联电容确定所述负载中的工件的表面电位。所述控制器进一步根据所述表面电位的近似值确定离子电位。所述周期性波形可为脉冲DC波形、RF波形或脉冲RF波形中的一个。
来源：金融界
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