南昌凯捷半导体申请改善光效维持率的LED外延片及其制备方法专利，双重提高AlGaInP LED在高温环境下工作发光效率_资讯

南昌凯捷半导体申请改善光效维持率的LED外延片及其制备方法专利，双重提高AlGaInP LED在高温环境下工作发光效率

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2025-08-25 11:04:29

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金融界2025年8月25日消息，国家知识产权局信息显示，南昌凯捷半导体科技有限公司申请一项名为“一种改善光效维持率的LED外延片及其制备方法”的专利，公开号CN120529710A，申请日期为2025年07月。

专利摘要显示，本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种改善光效维持率的LED外延片及其制备方法。该LED外延片由下往上依次从下往上依次包括GaAs衬底、缓冲层、腐蚀截止层、N型欧姆接触层、电极保护层、粗化层、N型控氧限制层、第一热电子阻挡层、N侧空间层、多量子阱发光层、P侧空间层、第二热电子阻挡层、P型控氧限制层、过渡层、P型窗口层；N型控氧限制层和P型控氧限制层均采用渐变TMAl源瓶压力控制氧含量并入的方式生长。本发明通过变瓶压控氧并入生长方式生长限制层并设计热电子阻挡层，不仅提高了高温下P/N两侧载流子浓度的产出，同时还有高势垒防止电子泄漏，两者组合，具有双重提高AlGaInP LED在高温环境下工作发光效率的功效。

天眼查资料显示，南昌凯捷半导体科技有限公司，成立于2020年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本32644万人民币。通过天眼查大数据分析，南昌凯捷半导体科技有限公司参与招投标项目1次，专利信息69条，此外企业还拥有行政许可8个。

来源：金融界

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