芯合半导体申请一种SiC MOSFET驱动电路专利，采用不同的负压值用于抑制串扰电压_资讯

芯合半导体申请一种SiC MOSFET驱动电路专利，采用不同的负压值用于抑制串扰电压

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2025-08-25 11:04:06

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金融界2025年8月25日消息，国家知识产权局信息显示，芯合半导体（合肥）有限公司申请一项名为“一种SiC MOSFET驱动电路”的专利，公开号CN120528215A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明公开了一种SiC MOSFET驱动电路，属于电力电子领域，包括输入侧预处理及故障检测单元、输入测逻辑时序单元、信号隔离单元、输出侧逻辑单元、输出侧功率放大及故障检测单元、上管电源管理单元和下管电源管理单元；所述输入侧预处理及故障检测单元和输入测逻辑时序单元电连接，输入测逻辑时序单元和信号隔离单元电连接，信号隔离单元和输出侧逻辑单元电连接，输出侧逻辑单元和输出侧功率放大及故障检测单元电连接，输入侧预处理及故障检测单元同时和上管电源管理单元、下管电源管理单元电连接。

天眼查资料显示，芯合半导体（合肥）有限公司，成立于2023年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本16128万人民币。通过天眼查大数据分析，芯合半导体（合肥）有限公司共对外投资了2家企业，专利信息39条，此外企业还拥有行政许可2个。

来源：金融界

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