美光科技申请微电子装置及相关方法和存储器装置专利，控制逻辑装置的晶体管的沟道定位成在竖直方向上比所述晶体管的栅极更接近所述额外存储器单元_资讯

美光科技申请微电子装置及相关方法和存储器装置专利，控制逻辑装置的晶体管的沟道定位成在竖直方向上比所述晶体管的栅极更接近所述额外存储器单元

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2025-08-25 09:32:45

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金融界2025年8月25日消息，国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“微电子装置及相关方法和存储器装置”的专利，公开号CN120526815A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本申请涉及微电子装置及相关方法和存储器装置。一种微电子装置包含存储器阵列结构、在所述存储器阵列结构之上并附接到其上的额外存储器阵列结构，及在所述额外存储器阵列结构之上并附接到其上的控制电路系统结构。所述存储器阵列结构包含具有存储器单元的阵列区。所述额外存储器阵列结构包含具有额外存储器单元的额外阵列区。所述额外阵列区与所述阵列区水平重叠。所述控制电路系统结构包含控制电路系统区，所述控制电路系统区与所述阵列区和所述额外阵列区中的每一个水平重叠且具有控制逻辑装置。所述控制逻辑装置耦合到所述存储器单元和所述额外存储器单元。所述控制逻辑装置的晶体管的沟道定位成在竖直方向上比所述晶体管的栅极更接近所述额外存储器单元。

来源：金融界

显示阵列栅极单元装置存储器定位成微电子晶体管专利阵列区

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