广西云芯半导体申请氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构及制备方法专利提高二维电子气浓度_资讯

广西云芯半导体申请氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构及制备方法专利提高二维电子气浓度

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2025-08-24 00:03:59

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金融界2025年8月23日消息，国家知识产权局信息显示，广西云芯半导体科技有限公司申请一项名为“氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构及制备方法”的专利，公开号CN120529612A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本发明公开了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构及制备方法，该外延结构包括自下而上依次设置的衬底层、聚合层、高阻层、中间层、通道层以及势垒层，所述聚合层包括缓冲层和过渡层的组合，所述通道层上具有二维电子导电沟道，所述势垒层的物质成分为ALInGaN，所述通道层形成于所述势垒层与所述中间层的界面处。本发明上述技术方案公开的外延结构及，通过采用AlInGaN作为势垒层材料替代传统的AlGaN势垒层，利用In元素的引入可以调节势垒层的晶格常数，减小与GaN通道层之间的晶格失配，同时保持较高的极化强度，从而在提高二维电子气浓度的同时，减少界面缺陷，提高电子迁移率。

天眼查资料显示，广西云芯半导体科技有限公司，成立于2023年，位于南宁市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，广西云芯半导体科技有限公司参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息8条，此外企业还拥有行政许可3个。

来源：金融界

显示云芯电子 ALInGaN 外延通道导体晶体管结构专利基高聚合层电子气氮化镓势垒层

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