成都高真科技申请半导体器件的制备方法及半导体器件专利，实现制备良率与电容量的同步提升_资讯

成都高真科技申请半导体器件的制备方法及半导体器件专利，实现制备良率与电容量的同步提升

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2025-08-23 22:04:29

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金融界2025年8月23日消息，国家知识产权局信息显示，成都高真科技有限公司申请一项名为“半导体器件的制备方法及半导体器件”的专利，公开号CN120529584A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，半导体器件的制备方法，包括：提供基板，在基板上形成连接垫；在连接垫背离基板的一侧形成第一牺牲层，并在第一牺牲层形成与连接垫一一对应的第一通孔；在第一通孔的内壁以及连接垫背离基板的一侧形成第一电极部，第一电极部与连接垫连接；在第一通孔内填充第二牺牲层；在第一牺牲层、第一电极部以及第二牺牲层背离基板的一侧形成第三牺牲层，并在第三牺牲层形成与第一通孔一一对应的第二通孔；在第二通孔的内壁形成第二电极部；将第一电极部与第二电极部连接，以形成第一电极层。

天眼查资料显示，成都高真科技有限公司，成立于2020年，位于成都市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本409512万人民币。通过天眼查大数据分析，成都高真科技有限公司参与招投标项目141次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息220条，此外企业还拥有行政许可72个。

来源：金融界

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